| 型号： | BC879,112 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANS DARL NPN 80V 1A TO-92 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| BC879,112 PDF |  |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.8V @ 1mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 2000 @ 500mA，10V |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 包装 | 散装 |
| 其它名称 | 933467630112 BC879 BC879-ND |